主页 > 记实 > 正文

《科技》去年DRAM產值年增76%,今年估成长逾3成


记实 2018-03-06 21:27 我要评论

 

2018年02月14日 08:01时报资讯

【时报记者沈培华台北报导】

根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2017年第四季DRAM產值较前一季再成长14.2%,全年產值成长率达76%。2018年DRAM產业產值将成长超过3成,规模达960亿美元。

2017年第四季的DRAM產业营收再创歷史新高。从价格来看,行动式记忆体接棒涨价,以及智慧型手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的DRAM厂拉抬行动式记忆体报价,带动行动式记忆体在第四季有5-20%的涨幅,其余各类DRAM產品合约价较前季再上涨5-10%。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出,展望2018年第一季,PC-OEM厂已陆续议定合约价格,就一线大厂订价来看,PC DRAM均价已来到33美元,较上一季平均涨幅约5%;北美四大网路服务提供业者为首的资料中心拉货动能仍强,带动本季伺服器记忆体价格上涨3-5%。至于智慧型手机第一季买气较原先预期低迷,加上NAND跌价与中国发改委因素影响,行动式记忆体价格涨幅较先前收敛,平均价格小涨约3%。

从整体產值来看,DRAMeXchange预估,2018年DRAM產业產值将成长超过3成,规模达960亿美元。

观察各厂2017年第四季营收表现,三星稳坐DRAM產业的龙头,营收达101亿美元,季成长14.5%,再度创下歷史新高;SK海力士营收衝至63亿美元,较前季成长14.1%,两大韩厂的市占率各为46.0%与28.7%,合计已囊括74.7%的市占率;美光集团维持第三,营收46亿美元,季增13.4%,市占20.8%。

展望2018年第一季,受惠于DRAM价格持续上涨与制程转进所带来的成本效益,三大厂营收可望再创新猷,获利率也可望提升。

从技术面来看,三星今年的目标除了持续提升18奈米制程的產出比重外,为期近两年DRAM涨价带动DRAM供应商的高获利,以及中国潜在竞争者的加入,也让三星决定展开新一波的扩產计画,将原本规划做NAND Flash的平泽厂二楼空间投入生產DRAM,一方面因应DRAM供给吃紧状况,另一方面藉由减少未来NAND Flash的投片量,来抑制NAND Flash的跌价速度,对此,DRAMeXchange指出,此举对整体记忆体產业属健康发展,而并非坏事。

SK海力士去年底开始导入18奈米的生產,然而,进入1X奈米世代制程难度高、转换不易,SK海力士目前仍致力于提升18奈米良率;SK海力士最快要到2019年才会在中国无锡新建的第二座12吋厂看到產能开出。

美光在技术布局方面,台湾美光记忆体(原瑞晶)17奈米目前產出比重已超过9成,预计今年第二季初将完成转换,台湾美光晶圆科技(原华亚科)计画今年中开始往17奈米转换,预计今年年底将可望有一半產能转往17奈米生產,并于明年上半年全数导入。

台系厂商部分,南亚科(2408)2018年第四季营收季成长26.9%,主要归功于20奈米转换良率超乎预期,以及价格持续走扬。20奈米的成本效益拉升营业利益率至38.9%,季成长7个百分点。展望未来,由于20奈米良率继续提升,将持续改善成本结构,增加获利空间。

力晶科技(5346)2017年第四季DRAM营收持平,主要是替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的获利较佳,力晶本身DRAM產能转向更高毛利的產品。

华邦电(2344)上季DRAM营收则下滑2.2%,主因为DRAM產能受到NOR Flash產能压缩所导致。

(时报资讯)

《台北股市》台股MSCI权重2降1升…